文献
J-GLOBAL ID:201702230690410184
整理番号:17A0275950
SiC T型MOSFETモジュールを用いた50kW高電力密度並列5つのレベルPV変換器【Powered by NICT】
A 50kW high power density paralleled-five-level PV converter based on SiC T-type MOSFET modules
著者 (5件):
Shi Yanjun
(The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
,
Shi Yuxiang
(The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
,
Wang Lu
(The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
,
Xie Ren
(The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
,
Li Hui
(The Center for Advanced Power Systems, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ECCE
ページ:
1-8
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)