文献
J-GLOBAL ID:201702230692953219
整理番号:17A1023926
超短チャネルナノワイヤFETにおけるゲート誘起ドレインリークの性質への物理的洞察【Powered by NICT】
Physical Insights Into the Nature of Gate-Induced Drain Leakage in Ultrashort Channel Nanowire FETs
著者 (2件):
Sahay Shubham
(Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India)
,
Kumar Mamidala Jagadesh
(Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
6
ページ:
2604-2610
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)