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文献
J-GLOBAL ID：201702230813432739
整理番号：17A1488558
原子層沈着は高誘電率(κ)ZrAlO_xゲート絶縁体高性能ZnSnO薄膜トランジスタを可能にする蒸着した【Powered by NICT】
Atomic layer deposition deposited high dielectric constant (κ) ZrAlOx gate insulator enabling high performance ZnSnO thin film transistors
Huang Chuan-Xin
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Li Jun
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhong De-Yao
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhao Cheng-Yu
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhu Wen-Qing
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhang Jian-Hua
(Key Laboratory of Advanced Display and System Applications, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China)
,
Jiang Xue-Yin
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhang Zhi-Lin
(School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
,
Zhang Zhi-Lin
(Key Laboratory of Advanced Display and System Applications, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 109 ページ： 852-859 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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