文献
J-GLOBAL ID:201702230856576405
整理番号:17A0755407
TaOx系RRAMデバイスの短時間高抵抗状態不安定性【Powered by NICT】
Short Time High-Resistance State Instability of TaOx-Based RRAM Devices
著者 (5件):
Li Xinyi
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Wu Huaqiang
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Gao Bin
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Deng Ning
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Qian He
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
1
ページ:
32-35
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)