文献
J-GLOBAL ID:201702230868684445
整理番号:17A0432267
Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング
Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices
著者 (4件):
渡辺時暢
(静岡大 電子工研)
,
渡辺時暢
(富山大 大学院理工学教育部)
,
堀匡寛
(静岡大 電子工研)
,
小野行徳
(静岡大 電子工研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
116
号:
471(ED2016 130-142)
ページ:
7-12
発行年:
2017年02月17日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)