文献
J-GLOBAL ID:201702230918382907
整理番号:17A1640762
熱的に分離された低エネルギー相変化メモリのための二重層誘電体スタック【Powered by NICT】
Dual-Layer Dielectric Stack for Thermally Isolated Low-Energy Phase-Change Memory
著者 (6件):
Fong Scott W.
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
,
Neumann Christopher M.
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
,
Yalon Eilam
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
,
Rojo Miguel Munoz
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
,
Pop Eric
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
,
Wong H.-S. Philip
(Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
11
ページ:
4496-4502
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)