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文献
J-GLOBAL ID：201702230967525750
整理番号：17A0662440
MoS_2可飽和吸収体を用いた高ピークパワー受動Qスイッチ2μmレーザ【Powered by NICT】
High-Peak Power Passively Q-Switched 2-μm Laser With MoS2 Saturable Absorber
Luan Chao
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Zhang Xiaoyan
(Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Yang Kejian
(State Key laboratory of Crystal Material, Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, and School of Information Science and Engineering and Shandong University, Jinan, China)
,
Zhao Jia
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Zhao Shengzhi
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Li Tao
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Qiao Wenchao
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Chu Hongwei
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Qiao Junpeng
(School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China)
,
Wang Jun
(Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Zheng Lihe
(Key Laboratory of Transparent and Opto-functional Inorganic Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Xu Xiaodong
(Jiangsu Key Laboratory of Advanced Laser Materials and Devices, School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University, Xuzhou, China)
,
Xu Jun
(Institute for Advanced Study, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai, China)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23 号： 1 ページ： ROMBUNNO.1600105.1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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