文献
J-GLOBAL ID:201702230977994823
整理番号:17A0027178
In0.7Ga0.3As QW MOSFETの新しい統一移動度抽出法
A New Unified Mobility Extraction Technique of In0.7Ga0.3As QW MOSFETs
著者 (7件):
Park Jung Ho
(Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kim Do-Kywn
(Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Son Seung-Woo
(Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Shin Seung Heon
(The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA)
,
Kim Tae-Woo
(Samsung, Austin, TX, USA)
,
Lee Jung-Hee
(Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kim Dae-Hyun
(Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
9
ページ:
1096-1099
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)