前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702231036778686
整理番号：17A0738599
有機金属化学気相成長法を用いてm内サファイア上に成長させた低欠陥の半極性(11-22)InGaNに基づく発光ダイオード
Semipolar (11-22) InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Low Defects Grown on m-Plane Sapphire Using Metalorganic Chemical Vapor Epitaxy
JANG Jongjin
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
LEE Kyuseung
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
MIN Daehong
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
KIM Jaehwan
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
CHAE Sooryong
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
LEE Gyungbae
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
NAM Okhyun
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16 号： 10 ページ： 10881-10886 発行年： 2016年10月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。