文献
J-GLOBAL ID:201702231104517480
整理番号:17A1125336
電子スピン共鳴により明らかにされた(100)Si上の機能的HfO_2層における正電荷捕獲と相関した欠陥:酸素空格子点の証拠【Powered by NICT】
Defect correlated with positive charge trapping in functional HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance: Evidence for oxygen vacancy?
著者 (2件):
Stesmans A.
(Department of Physics, University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium)
,
Afanas’ev V.V.
(Department of Physics, University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
178
ページ:
112-115
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)