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文献
J-GLOBAL ID：201702231142211265
整理番号：17A0129116
自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 表面処理の影響
Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates
SHIOJIMA Kenji
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
NAGANAWA Moe
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116 号： 357(CPM2016 90-112) ページ： 15-20 発行年： 2016年12月05日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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