文献
J-GLOBAL ID:201702231223182830
整理番号:17A0026002
シリコンアクティブ基板(III-V-OIAS)と集積したIII-V-絶縁体上の超薄ボディInGaAs MOSFET
Ultrathin Body InGaAs MOSFETs on III-V-On-Insulator Integrated With Silicon Active Substrate (III-V-OIAS)
著者 (5件):
Lin Jianqiang
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Czornomaz Lukas
(IBM Zurich Research Laboratory, Rueschlikon, Switzerland)
,
Daix Nicolas
(IBM Zurich Research Laboratory, Rueschlikon, Switzerland)
,
Antoniadis Dimitri A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
8
ページ:
3088-3095
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)