文献
J-GLOBAL ID:201702231277035620
整理番号:17A0138077
シリコン基板上に成長した無欠陥,自己触媒GaAs/GaAsPナノワイヤ量子ドット
Defect-Free Self-Catalyzed GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots Grown on Silicon Substrate
著者 (14件):
WU Jiang
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
RAMSAY Andrew
(Hitachi Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
SANCHEZ Ana
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
ZHANG Yunyan
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
KIM Dongyoung
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
BROSSARD Frederic
(Hitachi Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
HU Xian
(Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
,
BENAMARA Mourad
(Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
,
WARE Morgan E.
(Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
,
MAZUR Yuriy I.
(Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
,
SALAMO Gregory J.
(Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
,
AAGESEN Martin
(Gasp Solar ApS, Taastrup, DNK)
,
WANG Zhiming
(Univ. Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN)
,
LIU Huiyun
(Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
16
号:
1
ページ:
504-511
発行年:
2016年01月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)