文献
J-GLOBAL ID:201702231403065214
整理番号:17A1562294
ペンタセンに基づくトランジスタの電気的性能を向上させるための二層ゲート絶縁体の使用【Powered by NICT】
Use of bilayer gate insulator to increase the electrical performance of pentacene based transistor
著者 (2件):
Ruzgar Serif
(Department of Physics, Faculty of Art and Science, Batman University, Batman, Turkey)
,
Caglar Mujdat
(Department of Physics, Faculty of Science, Anadolu University, Eskisehir 26470, Turkey)
資料名:
Synthetic Metals
(Synthetic Metals)
巻:
232
ページ:
46-51
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0123B
ISSN:
0379-6779
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)