文献
J-GLOBAL ID:201702231451498014
整理番号:17A1810674
原子層堆積したSiO<sub>2</sub>およびHfSiO<sub>4</sub>と(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>とのバンドアラインメント
Band alignment of atomic layer deposited SiO<sub>2</sub> and HfSiO<sub>4</sub> with (<span style=text-decoration:overline>2</span>01) β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
著者 (8件):
CAREY Patrick H., IV
(Univ. Florida, FL, USA)
,
REN Fan
(Univ. Florida, FL, USA)
,
HAYS David C.
(Univ. Florida, FL, USA)
,
GILA Brent P.
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON Stephen J.
(Univ. Florida, FL, USA)
,
JANG Soohwan
(Dankook Univ., Gyeonggi, KOR)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
7
ページ:
071101.1-071101.5
発行年:
2017年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)