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文献
J-GLOBAL ID：201702231485123935
整理番号：17A0759130
ヘテロ構造中のグラフェンと電子移動に及ぼすMoS_2ドメインの温度関連形態学的進化【Powered by NICT】
Temperature-Related Morphological Evolution of MoS2 Domains on Graphene and Electron Transfer within Heterostructures
Wan Wen
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Zhan Linjie
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Xu Binbin
(School of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Zhao Feng
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Zhu Zhenwei
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Zhou Yinghui
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Yang Zhilin
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Shih Tienmo
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
,
Cai Weiwei
(Department of Physics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, China)
資料名：
Small
(Small)
巻： 13 号： 15 ページ： ROMBUNNO.201603549 発行年： 2017年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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