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文献
J-GLOBAL ID：201702231523175593
整理番号：17A0362555
不揮発性メモリ応用のための電荷捕獲層としてのNbドープGa_2O_3【Powered by NICT】
Nb-doped Ga2O3 as charge-trapping layer for nonvolatile memory applications
Shi R.P.
(Department of Electrical & Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong Island, Hong Kong)
,
Huang X.D.
(Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, China)
,
Sin Johnny K.O.
(Department of Electronic & Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
,
Lai P.T.
(Department of Electrical & Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong Island, Hong Kong)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 65 ページ： 64-68 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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