文献
J-GLOBAL ID:201702231584182934
整理番号:17A1349376
SiC-MOSFETのMHzスイッチングのための配線インダクタンスを考慮したRCDスナバの設計【Powered by NICT】
Design of RCD snubber considering wiring inductance for MHz-switching of SiC-MOSFET
著者 (4件):
Yamashita Yuki
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Japan)
,
Furuta Jun
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Japan)
,
Inamori Sho
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Japan)
,
Kobayashi Kazutoshi
(Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
COMPEL
ページ:
1-6
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)