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文献
J-GLOBAL ID：201702231601192434
整理番号：17A1811208
金属金/強誘電性フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン/半導体シリコン接合中の分極誘起抵抗スイッチング現象
Polarization-induced resistance switching phenomenon in metal Au/ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene/semiconductor Si junction
ENOMOTO Naoto
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
HASHIZUME Yoichiro
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
NAKAJIMA Takashi
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
NAKAJIMA Takashi
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
OKAMURA Yoichiro
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 10S ページ： 10PF13.1-10PF13.5 発行年： 2017年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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