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文献
J-GLOBAL ID：201702231608488871
整理番号：17A0053358
ホットキャリア効果に基づくモノリシックオプトエレクトロニクス集積Si CMOS LEDの設計と作製
Design and Fabrication of a Monolithic Optoelectronic Integrated Si CMOS LED Based on Hot-Carrier Effect
Kaikai Xu
(State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China)
,
Siyang Liu
(Nat. ASIC Syst. Eng. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing, China)
,
Weifeng Sun
(Nat. ASIC Syst. Eng. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing, China)
,
Zhengfei Ma
(State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China)
,
Zebin Li
(State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China)
,
Qi Yu
(State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China)
,
Guannpyng Li
(California Inst. for Telecommun. & Inf. Technol., Irvine, CA, USA)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 22 号： 6 ページ： ROMBUNNO.2000508.1-8 発行年： 2016年
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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