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文献
J-GLOBAL ID：201702231654114464
整理番号：17A1125381
電気ストレスによるAl_2O_3/InGaAs MOS構造の界面状態の生成【Powered by NICT】
Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress
Yoon S.-H.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Chang C.-Y.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Ahn D.-H.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Takenaka M.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Takagi S.
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 178 ページ： 313-317 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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