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文献
J-GLOBAL ID：201702231733293442
整理番号：17A0403174
低温アニーリングでのRFスパッタリング法による透明導電性HfドープIn_2O_3薄膜【Powered by NICT】
Transparent conductive Hf-doped In2O3 thin films by RF sputtering technique at low temperature annealing
Wang G.H.
(Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System of Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Shi C.Y.
(China Telecommunication Technology Labs, China Academy of Information and Communication Technology, Beijing 100015, China)
,
Zhao L.
(Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System of Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Diao H.W.
(Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System of Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Wang W.J.
(Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System of Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 399 ページ： 716-720 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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