文献
J-GLOBAL ID:201702231752992900
整理番号:17A0389290
電着CuInSe_2半導体前駆体のレーザアニーリング:実験とモデル化【Powered by NICT】
Laser annealing of electrodeposited CuInSe2 semiconductor precursors: experiment and modeling
著者 (9件):
Meadows H. J.
(Physics and Materials Science Research Unit, University of Luxembourg, 41 rue du Brill, Belvaux, Luxembourg. Phillip.dale@uni.lu)
,
Misra S.
,
Simonds B. J.
,
Kurihara M.
,
Schuler T.
,
Reis-Adonis V.
,
Bhatia A.
,
Scarpulla M. A.
,
Dale P. J.
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
6
ページ:
1336-1345
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)