文献
J-GLOBAL ID:201702231758173758
整理番号:17A0633034
ナノスケール金属/半導体接触に由来するSi/SiGeからの近赤外光ルミネセンスにおよぼすAuの静電効果
Electrostatic effect of Au nanoparticles on near-infrared photoluminescence from Si/SiGe due to nanoscale metal/semiconductor contact
著者 (12件):
YIN Yefei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
YIN Yefei
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
,
WANG Ze
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
WANG Ze
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
,
WANG Shuguang
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
WANG Shuguang
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
,
BAI Yujie
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
BAI Yujie
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
,
JIANG Zuimin
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
JIANG Zuimin
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
,
ZHONG Zhenyang
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHONG Zhenyang
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
28
号:
15
ページ:
155203,1-7
発行年:
2017年04月18日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)