文献
J-GLOBAL ID:201702231799061542
整理番号:17A1036200
SiC MOSFETの信頼性と品質試験【Powered by NICT】
SiC MOSFET reliability and implications for qualification testing
著者 (3件):
Lelis Aivars J.
(Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
,
Green Ronald
(Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
,
Habersat Daniel B.
(Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IRPS
ページ:
2A-4.1-2A-4.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)