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文献
J-GLOBAL ID：201702232034053596
整理番号：17A0754701
電着法によるCu_2O薄膜の制御された成長【Powered by NICT】
Controlled growth of Cu2O thin films by electrodeposition approach
Hossain Md. Anower
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Al-Gaashani Rashad
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Hamoudi Hicham
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Hamoudi Hicham
(College of Science and Engineering, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Al Marri Mohammed J.
(Gas Processing Center, Qatar University, PO Box 2713, Doha, Qatar)
,
Hussein Ibnelwaleed A.
(Gas Processing Center, Qatar University, PO Box 2713, Doha, Qatar)
,
Belaidi Abdelhak
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Merzougui Belabbes A.
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Merzougui Belabbes A.
(College of Science and Engineering, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Alharbi Fahhad H.
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Alharbi Fahhad H.
(College of Science and Engineering, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Tabet Nouar
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
,
Tabet Nouar
(College of Science and Engineering, Hamad Bin Khalifa University, Education City, Qatar Foundation, PO Box 5825, Doha, Qatar)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63 ページ： 203-211 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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