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文献
J-GLOBAL ID：201702232113362432
整理番号：17A1420982
原子層蒸着したVO_2薄膜の温度と電場誘起金属-絶縁体転移【Powered by NICT】
Temperature and electric field induced metal-insulator transition in atomic layer deposited VO2 thin films
Tadjer Marko J.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Wheeler Virginia D.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Downey Brian P.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Robinson Zachary R.
(The College at Brockport, SUNY, NY, USA)
,
Meyer David J.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Eddy Charles R.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Kub Fritz J.
(United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 136 ページ： 30-35 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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