文献
J-GLOBAL ID:201702232187304188
整理番号:17A0316979
短チャネル三重ゲート無接合ナノワイヤトランジスタのドレイン電流モデル【Powered by NICT】
Drain current model for short-channel triple gate junctionless nanowire transistors
著者 (8件):
Paz B.C.
(Department of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil)
,
Casse M.
(CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Barraud S.
(CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Reimbold G.
(CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Faynot O.
(CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Avila-Herrera F.
(Department of Electrical Engineering, CINVESTAV, Av. Instituto Politecnico Nacional, 2508, A. P. 14-740, 07360, Mexico)
,
Cerdeira A.
(Department of Electrical Engineering, CINVESTAV, Av. Instituto Politecnico Nacional, 2508, A. P. 14-740, 07360, Mexico)
,
Pavanello M.A.
(Department of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
63
ページ:
1-10
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)