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文献
J-GLOBAL ID：201702232258832740
整理番号：17A1036323
企業固体ドライブのための中期1X TLC NANDフラッシュメモリにおける均一と濃度読み妨害効果【Powered by NICT】
Uniform and concentrated read disturb effects in mid-1X TLC NAND flash memories for enterprise solid state drives
Zambelli Cristian
(Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy)
,
Olivo Piero
(Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy)
,
Crippa Luca
(Microsemi Corporation, Vimercate, Italy, 20871)
,
Marelli Alessia
(Microsemi Corporation, Vimercate, Italy, 20871)
,
Micheloni Rino
(Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IRPS ページ： PM-5.1-PM-5.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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