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文献
J-GLOBAL ID：201702232290418235
整理番号：17A1492714
静電ドープしたSchottky障壁CNTFETベースの低電力SRAMの設計と解析【Powered by NICT】
Design and analysis of electrostatic doped Schottky barrier CNTFET based low power SRAM
Singh Amandeep
(Department of Electronics & Communication, National Institute of Technology, Jalandhar, Punjab 144011, India)
,
Khosla Mamta
(Department of Electronics & Communication, National Institute of Technology, Jalandhar, Punjab 144011, India)
,
Raj Balwinder
(Department of Electronics & Communication, National Institute of Technology, Jalandhar, Punjab 144011, India)
資料名：
AEUe
(AEUe)
巻： 80 ページ： 67-72 発行年： 2017年
JST資料番号： A0447A ISSN： 1434-8411 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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