文献
J-GLOBAL ID:201702232315724123
整理番号:17A0856362
照射とその除去の方法下での多孔質シリコンの光ルミネセンス劣化の起源【Powered by NICT】
Origins of photoluminescence degradation in porous silicon under irradiation and the way of its elimination
著者 (4件):
Lenshin A.S.
(Voronezh State University, Russia)
,
Seredin P.V.
(Voronezh State University, Russia)
,
Kashkarov V.M.
(Voronezh State University, Russia)
,
Minakov D.A.
(Voronezh State University, Russia)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
64
ページ:
71-76
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)