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文献
J-GLOBAL ID：201702232425145907
整理番号：17A0402510
超薄シリコン3次元積層構造のための裏面損傷に及ぼす銅汚染の挙動【Powered by NICT】
Behavior of copper contamination on backside damage for ultra-thin silicon three dimensional stacking structure
Mizushima Yoriko
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan)
,
Mizushima Yoriko
(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan)
,
Kim Youngsuk
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan)
,
Kim Youngsuk
(Disco Corporation, Ota, Tokyo 143-8580, Japan)
,
Nakamura Tomoji
(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan)
,
Uedono Akira
(University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Ohba Takayuki
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 167 ページ： 23-31 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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