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文献
J-GLOBAL ID：201702232494695676
整理番号：17A0755423
高速低動的R_on E/Dモードのための新しい非対称傾斜フィールドプレート技術GaNH EMT【Powered by NICT】
Novel Asymmetric Slant Field Plate Technology for High-Speed Low-Dynamic Ron E/D-mode GaN HEMTs
Wong Joel
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Shinohara Keisuke
(Teledyne Scientific, Thousand Oaks, CA, USA)
,
Corrion Andrea L.
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Brown David F.
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Carlos Zenon
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Williams Adam
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Tang Yan
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Robinson John F.
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Khalaf Isaac
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Fung Helen
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Schmitz Adele
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Oh Thomas
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Kim Samuel
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Chen Steven
(TSMC, Hsinchu, Taiwan)
,
Burnham Shawn
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
,
Margomenos Alex
(Infineon Technologies, Milpitas, CA, USA)
,
Micovic Miroslav
(HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 1 ページ： 95-98 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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