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文献
J-GLOBAL ID：201702232515950232
整理番号：17A0548561
IV族強磁性半導体Ge1-xFex,MgO,及びFev3層構造におけるトンネリング磁気抵抗増大
Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe
TAKIGUCHI Kosuke
(Univ. Tokyo)
,
WAKABAYASHI Yuki K.
(Univ. Tokyo)
,
OKAMOTO Kohei
(Univ. Tokyo)
,
BAN Yoshisuke
(Univ. Tokyo)
,
TANAKA Masaaki
(Univ. Tokyo)
,
OHYA Shinobu
(Univ. Tokyo)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th ページ： ROMBUNNO.15a-501-3 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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