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文献
J-GLOBAL ID：201702232582913861
整理番号：17A1557629
MBEにより成長させたAlGaAs/GaAsヘテロ構造における近表面空乏層の光学的分光分析【Powered by NICT】
Optical spectroscopy analysis of the near surface depletion layer in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE
Cortes-Mestizo I.E.
(Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico)
,
Briones E.
(Instituto Tecnologico y de Estudios Superiores de Occidente, Departamento de Fisica y Matematicas, Periferico Sur Manuel Gomez Morin 8585, Tlaquepaque, Jalisco 45604, Mexico)
,
Yee-Rendon C.M.
(Universidad Autonoma de Sinaloa, Facultad de Ciencias Fisico-matematicas, Av. de las Americas y Blvd. Universitarios, Culiacan, Sinaloa 80000, Mexico)
,
Zamora Peredo L.
(Universidad Veracruzana, Centro de Investigacion en Micro y Nanotecnologia, Calzada Ruiz Cortines 455, Boca del Rio, Veracruz 94294, Mexico)
,
Espinosa-Vega L.I.
(Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico)
,
Droopad R.
(Texas State University, Ingram School of Engineering, 601 University Drive, San Marcos, TX 78666, United States)
,
Mendez-Garcia Victor H.
(Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 477 ページ： 59-64 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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