前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201702232639385511   整理番号:17A1116559

薄膜太陽電池における液相結晶化したけい素および酸窒化けい素の間の界面における不動態化【Powered by NICT】

Passivation at the interface between liquid-phase crystallized silicon and silicon oxynitride in thin film solar cells
著者 (9件):
Preissler Natalie
(PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Tofflinger Jan Amaru
(Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Tofflinger Jan Amaru
(Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Lima 32, Peru)
Gabriel Onno
(PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Sonntag Paul
(Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Amkreutz Daniel
(Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Stannowski Bernd
(PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Rech Bernd
(Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
Schlatmann Rutger
(PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)

資料名:
Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)

巻: 25  号:ページ: 515-524  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。