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文献
J-GLOBAL ID：201702232950268031
整理番号：17A1275785
薄い基板上の3パス5~6GHz,0.25μm SiGe BiCMOS電力増幅器【Powered by NICT】
3-Path 5-6 GHz 0.25 μm SiGe BiCMOS power amplifier on thin substrate
Ozbek Sefa
(Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany)
,
Digel Johannes
(Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany)
,
Grozing Markus
(Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany)
,
Berroth Manfred
(Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany)
,
Alavi Golzar
(Institute of Nano- and Microelectronic Systems (INES))
,
Burghartz Joachim N.
(Institute of Nano- and Microelectronic Systems (INES))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： PRIME ページ： 49-52 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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