文献
J-GLOBAL ID:201702232959350265
整理番号:17A1639095
チャネル領域におけるT字型酸化物部分によるSOI MESFETの性能の改善:DCおよびRF特性【Powered by NICT】
Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics
著者 (2件):
Naderi Ali
(Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah City, Iran)
,
Heirani Fatemeh
(Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah City, Iran)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
111
ページ:
1022-1033
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)