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文献
J-GLOBAL ID：201702233225394785
整理番号：17A1465153
DCマグネトロンスパッタリングによるSi(001)上のGe薄膜のエピタキシャル成長【Powered by NICT】
Epitaxial growth of Ge thin film on Si (001) by DC magnetron sputtering
Otsuka Shintaro
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Mori Takahiro
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Morita Yukinori
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Uchida Noriyuki
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Liu Yongxun
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
O’uchi Shin-ichi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Fuketa Hiroshi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Migita Shinji
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Masahara Meishoku
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Matsukawa Takashi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 3-7 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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