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文献
J-GLOBAL ID：201702233253500606
整理番号：17A0402802
表面処理により改質されたInGaAs/GaAs金属-酸化物-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの特性【Powered by NICT】
Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors modified by surface treatment
Gregusova D.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Gucmann F.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Kudela R.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Micusik M.
(Polymer Institute of Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84541, Slovakia)
,
Stoklas R.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Valik L.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Gregus J.
(Faculty of Mathematics, Physics and Informatics, Comenius University, Mlynska dolina, Bratislava SK-84248, Slovakia)
,
Blaho M.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava SK-84104, Slovakia)
,
Kordos P.
(Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology STU, Ilkovicova 3, Bratislava SK-81219, Slovakia)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 395 ページ： 140-144 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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