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文献
J-GLOBAL ID：201702233316600683
整理番号：17A0214345
CVD成長させたGe/strained Ge_0 91Sn_0 0.09/Ge量子井戸p-MOSFETの記録的な高移動度(428cm~2/V s)【Powered by NICT】
Record high mobility (428cm2/V-s) of CVD-grown Ge/strained Ge0.91Sn0.09/Ge quantum well p-MOSFETs
Huang Yu-Shiang
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Huang Chih-Hsiung
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Lu Fang-Liang
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Lin Chung-Yi
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Ye Hung-Yu
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Wong I-Hsieh
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Jan Sun-Rong
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Lan Huang-Siang
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Liu C. W.
(Graduate Institute of Electronics Engineering)
,
Huang Yi-Chiau
(Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
,
Chung Hua
(Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
,
Chang Chorng-Ping
(Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
,
Chu Schubert S.
(Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
,
Kuppurao Satheesh
(Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 33.1.1-33.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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