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文献
J-GLOBAL ID：201702233365000999
整理番号：17A0759078
歪んだ1T構造を持つ2次元ReS_2(1-x)Se_2_x合金の異方性分光法と電気的性質【Powered by NICT】
Anisotropic Spectroscopy and Electrical Properties of 2D ReS2(1- x )Se2 x Alloys with Distorted 1T Structure
Wen Wen
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Wen Wen
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
,
Zhu Yiming
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Zhu Yiming
(Department of Applied Physics, Chongqing University, Chongqing, 401331, P. R. China)
,
Liu Xuelu
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
,
Hsu Hung-Pin
(Department of Electronic Engineering, Ming Chi University of Technology, Taipei, 243, Taiwan, Republic of China)
,
Fei Zhen
(State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China)
,
Chen Yanfeng
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Wang Xinsheng
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Zhang Mei
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Zhang Mei
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
,
Lin Kuan-Hung
(Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China)
,
Huang Fei-Sheng
(Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China)
,
Wang Yi-Ping
(Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China)
,
Huang Ying-Sheng
(Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China)
,
Ho Ching-Hwa
(Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China)
,
Tan Ping-Heng
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
,
Jin Chuanhong
(State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China)
,
Xie Liming
(CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China)
,
Xie Liming
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名：
Small
(Small)
巻： 13 号： 12 ページ： ROMBUNNO.201603788 発行年： 2017年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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