文献
J-GLOBAL ID:201702233394317030
整理番号:17A1544990
極端な短絡手術における平面およびトレンチ電力SiC MOSFETデバイスのゲート漏れ電流解析とモデル化【Powered by NICT】
Gate leakage-current analysis and modelling of planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation
著者 (2件):
Boige F.
(LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, France)
,
Richardeau F.
(LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
76-77
ページ:
532-538
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)