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文献
J-GLOBAL ID：201702233436324853
整理番号：17A0085649
ニューロモルフィックコンピューティングのためのハイブリッドパルス方式を採用した64レベルのコンダクタンスと対称コンダクタンス変化を有するTiOxベースのRRAMシナプス
TiOx-Based RRAM Synapse With 64-Levels of Conductance and Symmetric Conductance Change by Adopting a Hybrid Pulse Scheme for Neuromorphic Computing
Park Jaesung
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Kwak Myunghoon
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Moon Kibong
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Woo Jiyong
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Lee Dongwook
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Hwang Hyunsang
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 12 ページ： 1559-1562 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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