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文献
J-GLOBAL ID：201702233484931259
整理番号：17A0591733
低温溶液成長酸化インジウム薄膜トランジスタに対する事前アニーリング効果
Pre-Annealing Effect for Low-Temperature, Solution-Processed Indium Oxide Thin-Film Transistors
KANG Chan-Mo
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KIM Hoon
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
OH Yeon-Wha
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
BAEK Kyu-Ha
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
DO Lee-Mi
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17 号： 5 ページ： 3293-3297 発行年： 2017年05月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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