文献
J-GLOBAL ID:201702233507085558
整理番号:17A0430951
Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価
著者 (6件):
An Junjie
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
,
生井正輝
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
,
岡本大
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
,
矢野裕司
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
,
只野博
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
,
岩室憲幸
(筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻)
資料名:
電気学会論文誌 C
(IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻:
137
号:
2
ページ:
216-221(J-STAGE)
発行年:
2017年
JST資料番号:
S0810A
ISSN:
0385-4221
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)