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文献
J-GLOBAL ID：201702233538549865
整理番号：17A0884377
遷移金属ジカルコゲン化物MoS_2電界効果トランジスタにおけるキャリア移動度の解析【Powered by NICT】
Analyzing the Carrier Mobility in Transition-Metal Dichalcogenide MoS2 Field-Effect Transistors
Yu Zhihao
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
,
Ong Zhun-Yong
(Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore)
,
Li Songlin
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
,
Xu Jian-Bin
(Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong SAR, P. R. China)
,
Zhang Gang
(Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore)
,
Zhang Yong-Wei
(Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore)
,
Shi Yi
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
,
Wang Xinran
(National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 27 号： 19 ページ： ROMBUNNO.201604093 発行年： 2017年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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