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文献
J-GLOBAL ID：201702233615668634
整理番号：17A0953490
Geフィン作製とGeフィン電界効果トランジスタの素子性能に対するエッチング中のUV光照射が原因となったプラズマ誘起損傷の衝撃
Impacts of plasma-induced damage due to UV light irradiation during etching on Ge fin fabrication and device performance of Ge fin field-effect transistors
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NODA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ISHIKAWA Yuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NISHI Takashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KIKUCHI Akio
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SU Ping-Hsun
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LI Yiming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SAMUKAWA Seiji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 2 ページ： 026501.1-026501.4 発行年： 2017年02月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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