文献
J-GLOBAL ID:201702233620906929
整理番号:17A0306669
エピ-GaN(0001)/サファイヤ基板上の単結晶アナターゼTiO2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と特性評価
Heteroepitaxial growth and characterization of monocrystal anatase TiO2 films on epi-GaN (0001)/sapphire substrates
著者 (5件):
ZHAO Wei
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
FENG Xianjin
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
LUAN Caina
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
XIAO Hongdi
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
MA Jin
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名:
Journal of Materials Science
(Journal of Materials Science)
巻:
52
号:
2
ページ:
1082-1088
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
B0722A
ISSN:
0022-2461
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)