文献
J-GLOBAL ID:201702233855672890
整理番号:17A0702840
MoS_2電界効果トランジスタの厚さに依存するSchottky障壁の高さ【Powered by NICT】
Thickness-dependent Schottky barrier height of MoS2 field-effect transistors
著者 (7件):
Kwon Junyoung
(Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Korea. gwanlee@yonsei.ac.kr)
,
Lee Jong-Young
,
Yu Young-Jun
,
Lee Chul-Ho
,
Cui Xu
,
Hone James
,
Lee Gwan-Hyoung
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
18
ページ:
6151-6157
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)